某些类氖离子和类镍离子等离子体状态对应关系的研究

利用一维拉格朗日流体动力学程序Med103详细研究了产生类镍Ag,Cd,In,Sn, Sb离子和类氖Fe,Co,Ni,Cu,Zn离子的等离子体状态.通过对电子温度、离子丰度、离子数密度等状态参量的分析比较，得到了这两类等离子体状态之间的对应关系.即类镍银的等离子体状态与类氖铁 的相近，类镍镉的与类氖钴的相近，依次类推.利用这一对应关系可以方便地由类氖机理x射线激光的等离子体状态来对相应元素的类镍x射线激光的等离子体状态进行判断. 关键词： 类氖 类镍 等离子体状态 x射线激光     

吡罗红为底物的辣根过氧化物酶催化荧光反应测定葡萄糖

吡罗红在辣根过氧化物酶催化下可被过氧化氢氧化而使其荧光猝灭。在pH 7.2中性介质中,稳态催化速率由酶和底物浓度决定,催化体系服从Michaelis-Menten方程,用Lineweaver-Burk作图法求得米氏常数、最大反应速度、催化常数分别为2.4×10~(-5)mol·L-1,2.5×10~(-6)mol·L-1s-1,75.8 s-1。在最佳反应条件下,荧光F0/F的猝灭程度与过氧化氢浓度在0-3.6×10~(-7)mol·L-1范围内成线性关系,检测限为6.3×10~(-9)mol·L-1;当与葡萄糖氧化酶联用时,可定量检测葡萄糖,线性关系为0-8.0×10~(-7)mol·L-1,检测限为3.4×10~(-8)mol·L-1。方法用于分析人血清中葡萄糖含量,分析结果与苯酚-4-氨基安替比林法基本一致。     

电信运营市场上过度进入的供给分析

本文在分析光纤主干网和本地接入服务市场上电信运营商的供给行为的基础上,首先证明了拥有主干网的运营商愿意租出自己的部分光纤,接着分析证明了上述两市场上使投资更倾向于过度的乘数效应,并进一步证明网络外部性使乘数效应更加明显.旨在对我国电信运营市场发展给出一些参考意见.     

Slutsky定理在样本分位数的极限分布证明上的应用

为了更好地理解和应用样本分位数的极限分布,利用Slutsky定理,推导了样本分位数的极限分布.     

核磁共振弛豫速率方法测定模拟正铁色素的结构

在生命体系内正铁色素具有摄铁和输铁的功能,人工合成的模拟化合物具备了正铁色素的主要功能基团和相近的性质.本工作利用铁(Ⅲ)离子的顺磁性质,测定不同铁(Ⅲ)离子浓度下模拟正铁色素的诱导弛豫时间,根据简化了的Solomon—B1oemoergen公式,计算出铁(Ⅲ)离子到所有被测质子(即氢原子)的相对距离,比较清楚地得到模拟正铁色素在溶液中的构象。     

高压处理对BiSrCaCu2Oy超导电性的影响

 本文在高T_c超导体BiSrCaCu₂O_y常压制备的基础上，研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响，并与常压结果进行了比较。结果表明，高压可以使样品的合成时间缩短，合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相（高T_c相）的形成，使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言，1.5 GPa时一个较好的压力点。     

非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的离子导电性与结构研究

本文研究了非晶锂离子导体P₂O₅-0.7Li₂O-0.4LiCl-0.1Al₂O₃的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激 关键词：     

横向位移双曝光散斑图维纳谱的信息分布

讨论了横向位移双曝光散斑图维纳谱的信息分布，并由此导出杨氏纹图的一般表达式。讨论了条纹可见度与应变，面内转动，照明光束直径与条纹图图空间坐标的关系，指出了在条纹可见度影响下最大可见条纹数目。还讨论了散斑衬比与衍射晕的关系。     

广义复合隐迭代格式逼近非扩张映像公共不动点

提出并使用如下广义复合隐迭代格式逼近非扩张映像族{Ti}Ni=1公共不动点:{xn=αnxn-1 (1-αn)Tnyn,yn=rnxn snxn-1 tnTnxn wnTnxn-1,rn sn tn wn=1,{αn},{rn},{sn},{tn},{wn}∈[0,1],这里Tn=TnmodN.该文提出的广义复合隐迭代格式包含了目前多种迭代格式,因此,所得强弱收敛定理推广及发展了Mann,Ishikawa,XuandOri,等许多作者的结果.     

In situ observation of NaBi(WO4)2 dendrite growth and the study on microstructure of solidification

The dendrite growth process of transparent NaBi(WO4)2 with small prandtl and high melting point was studied by using the in-situ observation system. According to the dynamic images and detailed information, there are two kinds of restriction effect on the dendrite growth, the competition between arms and branches and the convection in the melt. The dendrite growth rate was time dependent, and the rate of arm growth reached the maximum 5.8 mm/s in the diffusive-advective region and rapidly decreased in the diffusive-convective region. The growth rate of branch had the same change trends as the arm's. Based on the EPMA-EDS data of solidification structure of quenched NaBi(WO4)2 melt, it was found that there were component differences from stoichiometric concentration in the melt near the interface during the growth process.